Flash paměti NAND je možné rozdělit do 3 hlavních kategorií: SLC, MLC a TLC.

SLC je zkratka od 'Single-Level Cell':

Paměti SLC uchovávají v každé buňce jeden bit, což vede k větším rychlostem přenosu, nižší spotřebě energie a vyšší trvanlivosti buněk. Jedinou nevýhodou SLC jsou výrobní náklady na MB, proto se SLC flash technologie používá ve vysoce výkonných paměťových kartách, kde je důležitá rychlost a spolehlivost.

MLC je zkratka od 'Multi-level Cell':

Paměti MLC uchovávají v každé buňce dva bity. Tím, že uchovávají více bitů v každé buňce, mají paměti MLC nižší přenosové rychlosti, vyšší spotřebu energie a nižší trvanlivost buněk než paměti SLC. Výhodou pamětí MLC jsou nižší výrobní náklady. Technologie MLC flash se používá ve většině standardních uživatelských paměťových zařízeních.

TLC je zkratka od 'Triple-level Cell':

Paměti TLC uchovávají v každé buňce tři bity. Tím, že uchovávají ještě víc bitů v každé buňce, mají paměťové karty TLC nižší přenosovou rychlost, vyšší chybovost a nižší trvanlivost buněk než paměťové karty MLC a SLC. Výhodou pamětí TLC je, že paměťový čip je pro určitou kapacitu fyzicky menší než čipy SLC a MLC, spotřebuje méně energie a je levnější ho vyrobit. Technologie TLC flash se používá většinou v levných zařízeních, kde rychlost a spolehlivost není tak důležitá.